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STT-MRAM: TOSHIBA PROMETE REVOLUCIONAR COM NOVA TECNOLOGIA DE MEMÓRIA

11/12/2012

A Toshiba Corporation anunciou hoje o desenvolvimento de um protótipo de elemento de memória para as STT-MRAM – memória de acesso randômico magneto-resistiva de rápida transferência de torque que promete revolucionar a indústria do silício, ao prometer o menor consumo de energia do mercado, tendo ainda o potencial de aposentar as eficientes SRAM como memória de cache.

Até então largamente utilizadas nos dispositivos, as SRAMs parecem estar chegando ao seu limite. A medida em que as freqüências de operações de tais memórias são elevadas, reduz-se a eficiência energética destas, através do aumento no vazamento de corrente. Este problema ocorre tanto em modo de operação, quanto em standby, degradando o poder de desempenho.

Como forma de resolver este problema, pesquisadores desenvolveram as MRAMs, a última palavra em se tratando de memória, baseadas em materiais magnéticos. As memórias magneto-resistivas surgiram como uma alternativa às SRAMs, pelo fato de serem não voláteis, reduzindo assim o problema da perda de corrente durante o modo em standby. Contudo, até então, tais memórias tinham como Calcanhar de Aquiles, o fato de consumirem mais energia que as SRAMs.

Os engenheiros da Toshiba desenvolveram novos elementos que quebraram os paradigmas das STT-MRAMs, ao garantir altos clocks, reduzindo, de quebra, o consumo de energia em 90%.

 

O segredo da Toshiba está no aprimoramento da estrutura de magnetização perpendicular, além da miniaturização da litografia em níveis inferiores à 30nm. Com isso, a companhia nipônica conseguir reduzir a zero o vazamento de corrente em modo standby e de operação.

Mais detalhes da nova tecnologia por trás das STT-MRAMs serão apresentados pela Toshiba amanhã e quarta-feira durante a IDEM, Encontro Internacional de Dispositivos Eletrônicos, em São Francisco, na Califórnia.
 
 
 
 
Fonte: Adrenaline

 
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