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OS REVOLUCIONÁRIOS MEMRISTORES APROXIMAM-SE DO NOSSO COTIDIANO

24/09/2012

Um passo importante para levar os memristores (resistores de memória) para o nosso cotidiano foi dado esta semana nos EUA.

Cientistas da Universidade do Estado do Oregon informaram ter conseguido criar um memristor a um custo de produção extremamente barato, a partir da utilização de óxido de estanho-zinco.

Para quem ainda não sabe, um memristor é um componente eletrônico passivo de dois terminais que mantém uma função não-linear entre corrente e tensão (resistência de memória). Em outras palavras, o memristor é, na verdade, uma junção entre a capacidade resistiva do resistor e a memorização das memórias. Assim, o resistor de memória é capaz de armazenar informações mesmo na ausência de corrente elétrica, sendo, portanto, o candidato natural para substituir – dentre outros componentes eletrônicos – os atuais chips de memória flash – com a grande vantagem de serem muito menores e mais velozes.

A tecnologia dos resistores de memória não é exatamente nova. Ela foi concebida pelo engenheiro elétrico Leon O. Chua em 1971, mas praticamente abandonada desde então. Os estudos voltaram a ser patrocinados pela HP em 2008, e a equipe trabalha entusiasmada com os resultados, dando até ares de ficção científica em seus comentários.

Um dos primeiros frutos da HP – em parceria com a Hynix, foi o desenvolvimento de uma nova tecnologia para a memória RAM, chamada de ReRAM (memória de acesso aleatório resistiva) que tenta imitar o funcionamento dos neurônios.

O grande problema até então enfrentado pelos engenheiros e pesquisadores para o desenvolvimento de dispositivos baseados no memristor, era a necessidade do uso de dióxido de titânio, um material extremamente caro.

Com a descoberta dos cientistas do Oregon, esta “barreira” não existe mais. Outra vantagem do uso do óxido de estanho-zinco, é que este material é transparente, ampliando ainda mais as possibilidades para a indústria.
 
 
 
 
Fonte: Adrenaline

 
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