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MEMÓRIA DE BAIXA POTÊNCIA PODE SUBSTITUIR PADRÃO DDR3

25/10/2011 01:00:00

A Samsung e Micron Technology fundaram um consórcio para alavancar um novo modelo de memória de baixa potência chamada Hybrid Memory Cube. As fabricantes esperam que o formato seja visto como uma alternativa para a memória de alto desempenho DDR3, presente em computadores e redes nos últimos anos.

O consórcio está planejando unir as fabricantes de processadores e dispositivos para desenvolver uma especificação aberta para a tecnologia de memória, que promete oferecer um consumo de energia mais eficiente e melhor desempenho que as tecnologias DRAM, incluindo a DDR3, afirmaram as empresas.

O gerente do grupo de soluções DRAM da Micron, Scott Graham, disse que as especificações da tecnologia devem estar prontas no próximo ano e a produção em massa pode começar em 2015.

A Intel demonstrou o Hybrid Memory Cube no mês passado em um computador experimental movido a energia solar. A fabricante de processadores afirmou que a tecnologia foi sete vezes mais eficiente no consumo de energia energia do que as do modelo com memória DDR3.

Mike Howard, analista da iSuppli IHS, declarou que uma unidade da nova tecnologia poderia substituir 10 módulos de memória DDR3 em servidores. "Ela faz a memória mais operar de forma mais rápida e inteligente", disse ele.

A Altera e a Xilinx também estão no consórcio. A Intel e as fabricantes PCs, entre outros, ainda não são membros, mas têm sido convidadas a participar, declarou Graham.
 
 
 
 
Fonte: IdgNow

 
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