A Samsung anunciou durante o Flash Memory Summit deste ano seus avanços no desenvolvimento da tecnologia V-NAND para armazenamento, bem como novos modelos de SSDs voltados para servidores e data centers. A companhia afirma que sua tecnologia proprietária V-NAND é "altamente avançada" e vai determinar o futuro do armazenamento das empresas, começando pelo anúncio dessa semana de um chip de 1 Tb neste formato.

A empresa sul-coreana espera que seu primeiro chip 1 Tb V-NAND esteja comercialmente disponível no ano que vem. Segundo a Samsung, a tecnologia vai permitir "empilhar" até 2 TB de capacidade num único pacote V-NAND, usando 16 dies de 1 Tb, representando um avanço impressionante na capacidade dos drives de armazenamento flash.

Enquanto a nova tecnologia não chega, no entanto, a empresa anunciou duas novas linhas de SSDs para servidores. A primeira é baseada em NGSFF (Next-Generation Small Form Factor), em vez de M.2. A empresa afirma que o formato diferenciado permite aproveitar bem melhor o espaço, oferecendo até 576 TB em um único rack 1U, usando 36 SSDs NGSFF de 16 TB cada. Eles medem 30,5 x 110 x 4,38mm.