A Samsung anunciou durante o Flash Memory Summit deste ano seus avanços no desenvolvimento da tecnologia V-NAND para armazenamento, bem como novos modelos de SSDs voltados para servidores e data centers.
A companhia afirma que sua tecnologia proprietária V-NAND é "altamente
avançada" e vai determinar o futuro do armazenamento das empresas,
começando pelo anúncio dessa semana de um chip de 1 Tb neste formato.

A empresa sul-coreana espera que seu primeiro chip 1 Tb V-NAND
esteja comercialmente disponível no ano que vem. Segundo a Samsung, a
tecnologia vai permitir "empilhar" até 2 TB de capacidade num único
pacote V-NAND, usando 16 dies de 1 Tb, representando um avanço
impressionante na capacidade dos drives de armazenamento flash.
Enquanto
a nova tecnologia não chega, no entanto, a empresa anunciou duas novas
linhas de SSDs para servidores. A primeira é baseada em
NGSFF
(Next-Generation Small Form Factor), em vez de M.2. A empresa afirma
que o formato diferenciado permite aproveitar bem melhor o espaço,
oferecendo até 576 TB em um único rack 1U, usando 36 SSDs NGSFF de 16 TB
cada. Eles medem 30,5 x 110 x 4,38mm.

No formato tradicional a Samsung anunciou seus novos Z-SSDs, que estreiam na forma do modelo SZ985.
O foco aqui é a performance, com latência "ultra-baixa" e alta
velocidade. A empresa promete uma performance melhor que a do padrão
NVMe, alcançando apenas 15 microssegundos de latência na leitura e
podendo aumentar o tempo de resposta do sistema em até 12 vezes no nível
de aplicações.
Fonte: Adrenaline