Página Inicial



twitter

Facebook

  Notícia
|

 

MELHOR DESEMPENHO E INSPIRAÇÕES NA APPLE: VEJA BOATOS SOBRE O GALAXY S8

28/11/2016

Com o fiasco do Note 7, a Samsung parece estar apostando todas as suas fichas em seu próximo grande lançamento: o S8. Se a fabricante mantiver a tradição, seu novo top de linha deve vir a público ainda no primeiro bimestre de 2017, mas os rumores sobre o novo aparelho da sul-coreana não param de surgir.

Além de configurações de peso, os rumores apontam que o novo aparelho se inspirou [e muito] no iPhone. Ao que tudo indica, o S8 virá em dois tamanhos diferentes, não terá mais um botão home físico, passará a ser sensível à pressão e contará com uma câmera traseira dupla.

Há quem diga ainda que o próximo lançamento da Samsung possivelmente vai contar com uma versão de 256 GB de armazenamento interno –como os aparelhos da Apple. O S7, por exemplo, chegou ao mercado com 64GB e suporte a cartão de até 200 GB. Vale lembrar que há uma grande diferença entre o espaço disponível no microSD e no aparelho, isso porque nem todos os aplicativos permitem ser armazenados na memória expansível.

Não se sabe ainda se a Samsung vai ou não manter o cartão microSD. Mas, o que se especula, é que a fabricante vai ampliar de 4 GB para 6 GB a memória RAM do aparelho. A função do recurso é armazenar dados temporários para que o processador possa acessar informações importantes com rapidez. Uma memória RAM alta contribui para o desempenho do sistema operacional e facilita a abertura de vários aplicativos simultaneamente sem que o celular trave.

Com o upgrade, o S8 se igualará ao Zenfone 3 Deluxe e ficará melhore que o iPhone 7 Plus, que tem apenas 3GB de memória RAM.

Mas os investimentos da Samsung no seu novo carro-chefe não param por aí. Os rumores indicam ainda que o S8 será o primeiro aparelho a ser lançado com o novo processador da Qualcomm: o Snapdragon 835 –anunciado esse mês e que, segundo seu fabricante, é 40% mais eficiente do que o Snapdragon 821.
 
 
 
Fonte: Uol

 
Indique esta notícia Indique esta notícia para um amigo

Início Notícias  | Voltar