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SAMSUNG INICIA PRODUÇÃO EM MASSA DE DRAMS DDR3 DE 4 GB E LITOGRAFIA EM 20 NM

12/03/2014

A Samsung anunciou que está inciando a produção em massa da sua próxima geração de DRAMs DDR3 de 4 GB, com litografia em 20 nm. Segundo a empresa, as novas memórias possuem uma eficiência geral de fabricação 30% melhor, em comparação com as DRAMs com litografia em 25 nm.

Em matéria de desempenho, a Samsung diz que os novos chips possuem uma eficiência energética 25% melhor que a geração anterior. As novas DRAMs – com litografia em 20 nm – são fabricadas usando um laser de excímero de ArF (Fluoreto de Argônio), que é combinado com uma versão mais avançada do processo de "double patterning" da Samsung e um outro, chamado "atomic layer deposition".

A empresa projeta que a nova tecnologia de fabricação será a base para, no futuro, produzir DRAMs com litografia em 10 nm. Por enquanto, a expectativa da Samsung é que a nova tecnologia de produção em 20 nm ajude diminuir a distância entre dispositivos móveis e notebooks num futuro próximo. O quão próximo ainda não sabemos, já que a companhia não anunciou a data de chegada das novas DRAMs ao mercado.
 
 
 
Fonte: Adrenaline

 
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